存储芯片市场升温，DRAM价格连续两个月上涨
2024-01-26ASML首席财务官 Roger Dassen在表示，2023年生效的出口管制规则，将影响2024年中国市场10%-15%的销售额，然而仍可以看到终端市场中成熟制程市场的需求依旧旺盛。从市场分类来看，存储芯片市场将在2024迎来增长，这主要是由于制程节点的转变，以满足日益增长的先进存储需求。 而逻辑芯片市场，2024年将出现小幅下滑，因为今年将主要消化2023年的新增产能而非继续增加产能。从业务划分来看，2024年EUV业务将出现增长；而非EUV部分会小幅下滑，主要因为浸润式光刻机的销售预计将少
DRAM涨价潮：厂商减产引发需求激增，持续寻求利润改善
2024-01-26据日经新闻报导，在智能手机、PC、数据中心服务器上用于暂时储存数据的DRAM价格连续2个月上涨，主因存储芯片厂商减产，缩减供应，而客户端接受厂商的涨价要求，且为了改善获利、据悉今后厂商将持续要求涨价。 2023年12月份DDR4 8Gb批发价(大宗交易价格)为每个1.70美元左右，较前一个月份(2023年11月)上涨3%，容量较小的4Gb产品价格为每个1.30美元左右，较前一个月份上涨4%，价格皆为连续第2个月扬升。和去年同月相比，8Gb、4Gb价格皆下跌约1成。DRAM批发价格为内存厂商和客
LLW DRAM：AI智能手机时代的财富密码
2024-01-18AI应用持续发展，内存技术随之进步。 随着人工智能的发展，市场对内存的要求更高，三星正在向市场推出基于特定应用要求的存储组合产品。 据悉，三星最近正在研发新型存储器LLW DRAM，将高带宽、低延迟、低功耗的特性结合在一起。三星将新的内存技术定位在需要运行大型语言模型（LLM）的设备上，未来也可能出现在各种客户端工作负载中。 LLW DRAM作为一种低功耗内存，拥有宽I/O、低延迟、每个模块/堆栈提供了128GB/s的带宽，与一个128位DDR5-8000内存子系统的带宽相同。同时，LLW D
DRAM合约价一季度涨幅预计13~18%，移动设备DRAM引领市场
2024-01-09Trendforce集邦咨询预测，2024年首季DRAM合约价将呈13～18%的季度上涨趋势，其中移动设备DRAM涨势最为突出，预计最高涨幅可达23%。考虑到全年需求仍不明朗，存储芯片制造商主张持续减产以维护市场供求平衡。 据DRAM产品分类显示，PC DRAM方面，DDR5订单需求未得到充分满足，买方预期DDR4价格将进一步上涨，这激发了备货需求。尽管新一代设备向DDR5转型，但对于DDR4采购量增幅不定。预计PC DRAM季度合约价变化幅度将在10～15%之间，其中DDR5占据更大比例。
DRAM涨价启动！Q1涨幅高达20%
2024-01-09据存储模组公司消息人士表示，三星电子和美光科技等存储芯片供应商正在考虑在2024年第一季度将DRAM价格提高15%-20%。 与飙升的NAND闪存价格相比，2023年第四季度DRAM定价相对稳定。不过，消息人士称，存储芯片制造商目前预计在下一轮涨价中将重点放在DDR4和DDR5等DRAM上，以加速恢复盈利。 有存储模组厂收到三星2024年第一季度将DRAM价格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND闪存定价，但预计NAND价格将继续上涨。2023年12月DRAM价格上涨2%-3%，大幅提升
三星与美光拟提DRAM价格，以求盈利回暖
2024-01-05据悉，三星电子及美光科技等存储芯片龙头企业计划于2024年初把DRAM价格提高15%-20%，相较于今年第四季度的较为稳定，预计执行此举是为了加快恢复利润。在涨价名单中，属于DRAM的DDR4和DDR5被提到主要对象。 部分存储模组厂已接到三星通知，要求明年年初至少将DRAM价格上调15%以上，且该通知并未涉及NAND闪存定价，故预计后者将会持续上涨。DRAM价格在去年年底上涨2%-3%，不及3D TLC NAND约10%；步入新年后，随着手机和服务器需求渐复苏，DRAM供给趋势将趋于紧张。
DRAM价格上涨因存储巨头减产，供需紧张料持续至年底
2024-01-05全球存储巨头持续缩减产能，加之人工智能与高性能计算的普及，智能手机市场的库存补充等综合原因，使存储器价格持续攀升。 据集邦咨询报告显示，多方消息表明，三星与美光两家企业计划于2024年首个季度内，DRAM价格提高幅度达15%-20%。 鉴于人工智能和高性能计算领域的广泛应用，智能手机及个人电脑市场回暖，市场普遍预期明年DRAM供应紧缺。 业界人士透露，当前已进入第一季度的合约价格商谈环节，存储器厂商有望于1月对DRAM价格进行调整，呼吁客户提前布局，应对未来需求。 据报道，近期三星宣布自明年第
传三星与美光第一季DRAM价格涨幅15%~20%
2024-01-05近期，全球DRAM市场风云再起。两大巨头三星和SK海力士纷纷宣布增加设备投资和产能，这一举动无疑将对整个市场带来深远的影响。而现在，最新消息表明，DRAM价格有望在2024年第一季度迎来新一轮的上涨，涨幅预计达到15%至20%。 据知情人士透露，三星已经预告将从2024年第一季度开始上调DRAM报价，涨幅至少为15%。尽管目前尚未有确切消息，但NAND Flash闪存的涨幅预期也将有所上调，这意味着内存市场的整体价格上涨趋势可能会持续到2024年底。 与此同时，另一家内存巨头美光也传出将在今年
精智达：DRAM晶圆老化测试设备进入验证阶段
2024-01-051月2日，精智达发布最新研究报告，披露其半导体存储器件测试设备的研发进展顺利。DRAM晶圆老化测试设备已完成开发与测试，步入验证阶段； DRAM测试机仍处研发环节。 该公司声称，在半导体业务上，探针卡业务实现重大突破，开始量产，前景看好。 至于面板业务，公司正积极涉足MicroLED、Micro-OLED等微型显示领域，已先后获得数个Micro-LED检测设备订单。同时，关于微型显示领域的技术开发和设备验证工作正在稳步展开。 谈及公司近年来的对外投资行动，精智达强调，标的公司主营业务与公司业务
存储市场动态：DRAM价格大幅上涨在即
2024-01-05近日，据台湾电子时报报道，存储器模块业者透露，全球存储器巨头三星电子和美光正计划在今年第一季度将DRAM价格上调15%-20%，这一调整将从1月起正式执行。此举旨在催促客户提前规划未来的需求量。目前，已有多家厂商证实收到了三星的涨价预告。 业内人士分析，此次涨价反映了上游原厂对市场趋势的调整。过去，NAND Flash是涨价的主要焦点，但现在，随着市场需求的转变，DRAM成为了上游厂商关注的重点。DDR4和DDR5有望成为下一波调涨的重点，这将有助于改善存储器厂商的运营亏损状况。相比之下，DD