欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:FLASH闪存芯片IC存储器半导体 > 话题标签 > W25Q16JVSSIQ

W25Q16JVSSIQ 相关话题

TOPIC

标题:电子元器件W25Q16JVSSIQ的参数PDF资料介绍 电子元器件W25Q16JVSSIQ是一种高性能的闪存芯片,广泛应用于各种电子设备中。本文将介绍该芯片的参数PDF资料,帮助读者更好地了解该芯片的性能和应用。 一、概述 W25Q16JVSSIQ是一款16位串行闪存芯片,采用QFP封装。其主要特点是存储容量大、读写速度快、耐久性好、数据保存时间长等。 二、主要参数 1. 存储容量:16MB; 2. 读写速度:高达25MB/s; 3. 电压:3.3V; 4. 工作温度:-40℃至85℃;
标题:Winbond品牌W25Q16JVSSIQ芯片:16MBIT SPI/QUAD 8SOIC FLASH技术与应用详解 随着科技的飞速发展,存储技术也在不断进步。在嵌入式系统、消费电子、工业控制等领域,存储芯片的应用越来越广泛。其中,Winbond品牌的W25Q16JVSSIQ芯片以其独特的SPI/QUAD 8SOIC封装和16MBIT的存储容量,备受瞩目。本文将详细介绍这款芯片的技术特点、应用领域以及相关注意事项。 一、技术特点 W25Q16JVSSIQ是一款SPI(Serial Per
随着科技的不断发展,存储芯片在各个领域中的应用越来越广泛。Winbond品牌推出的W25Q16JVSSIQ TR芯片IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC,以其卓越的性能和广泛的应用领域,受到了广大用户的青睐。本文将对这款芯片的技术和应用进行详细介绍。 一、技术特点 1. 存储容量:W25Q16JVSSIQ TR芯片具有16MB的存储容量,能够存储大量的数据和程序。 2. 存储介质:该芯片采用FLASH存储介质,具有非易失性、高速度、低功耗等优点。 3. 接口方式:该芯片
  • 共 1 页/3 条记录