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ISSI品牌IS43DR16160B-37CBLI芯片IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA的技术和方案应用介绍 一、概述 ISSI是一家专门从事DRAM研发和生产的知名企业,其IS43DR16160B-37CBLI芯片IC是一款高性能的DDR3 SDRAM芯片,具有256MBIT的存储容量和84TWBGA的封装形式。该芯片广泛应用于各种电子产品中,如笔记本电脑、平板电脑、服务器、游戏机等。本文将详细介绍ISSI IS43DR16160B-37CBLI芯片IC的技术特点和方案应
随着科技的飞速发展,半导体技术也在不断进步。ISSI矽成公司作为业界领先的半导体公司之一,其IS43DR16160B-37CBLI芯片IC在DRAM领域具有卓越的性能和稳定性。本文将介绍ISSI矽成IS43DR16160B-37CBLI芯片IC的技术和方案应用。 首先,让我们了解一下ISSI矽成IS43DR16160B-37CBLI芯片IC的基本信息。该芯片是一款256MBIT的DDR SDRAM芯片,采用PAR 84TWBGA封装。它具有高速的数据传输速率和高稳定性,适用于各种需要大量存储数
标题:ISSI矽成IS43R86400F-5TL芯片:512MBIT DRAM的全新技术方案与66TSOP II封装 ISSI矽成公司,作为业界领先的半导体供应商,一直致力于为电子设备提供高性能、高可靠性的芯片解决方案。近期,ISSI推出了一款引人注目的IS43R86400F-5TL芯片,这款芯片以其独特的512MBIT DRAM容量和66TSOP II封装技术,为各类电子设备带来了全新的性能提升。 ISSI IS43R86400F-5TL芯片是一款高性能的DRAM芯片,其容量达到了512MB
标题:ISSI品牌IS43R86400F-5TL芯片IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II的技术和方案应用 一、概述 ISSI是一家专门生产DRAM芯片的公司,他们的产品广泛应用于各种电子产品中。今天我们将介绍的是ISSI公司的一款产品:IS43R86400F-5TL,它是一款512MBIT的DRAM芯片,采用PAR 66TSOP II封装。 二、技术规格 * 存储容量:512MBIT * 存储介质:DRAM * 封装形式:PAR 66TSOP II * 工作电压:1.8V
ISSI矽成IS43DR81280C-25DBL芯片:1GBIT并行60TWBGA技术与应用介绍 ISSI矽成公司推出了一款新型的IS43DR81280C-25DBL芯片,它是一款高性能的DRAM芯片,具有1GBIT的并行接口和60T的封装类型。这款芯片以其卓越的性能和出色的技术特点,在许多领域中都有着广泛的应用。 首先,我们来了解一下这款芯片的技术特点。ISSI矽成IS43DR81280C-25DBL芯片采用先进的60TWBGA封装技术,这种封装技术具有高密度、低成本、高可靠性等特点。同时,