碳化硅(SiC)半导体
2024-02-06碳化硅（SiC）半导体是一种使用碳化硅材料制成的半导体器件。碳化硅是一种由碳和硅元素稳定结合而成的晶体，具有独特的物理和化学性质，使其成为制造高效、高温和抗辐射器件的理想材料。 SiC半导体在电子、电力和能源等领域有广泛应用，主要得益于其高温稳定性、抗辐射性能、高击穿场强、低导通损耗和高热导率等优点。 与传统的硅（Si）半导体相比，SiC半导体的禁带宽度是硅的3倍，击穿场强是硅的8倍，这使得SiC半导体能够承受更高的温度、更强的电场和更强的辐射环境。此外，SiC半导体还具有高载流子迁移率和优良
SiC半导体的优缺点
2024-02-06碳化硅（SiC）是一种宽带隙半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高键合能等优点，在高温、高频、大功率电子器件领域具有广泛的应用前景。然而，SiC半导体也存在一些缺点，下面分别介绍。 优点： 高温稳定性：SiC的禁带宽度较大，可以在高温下保持稳定的性能。因此，SiC器件可以在较高的温度下长期工作，而且在高温下的性能优于硅器件。高功率密度：由于SiC的击穿电场强度高，可承受更高的电压，因此SiC器件可以具有更高的功率密度，体积更小，重量更轻。高速开关频率：SiC的载流子饱和速度高，可以获得
2000VSiCM1H芯片半桥模块
2024-02-06新品 采用2000V SiC M1H芯片的 62mm半桥模块，最大规格2.6mΩ 2000V的62mm CoolSiC™ MOSFET半桥模块现已上市，有2.6mΩ和3.5mΩ两种规格。由于采用了M1H芯片技术，模块在 VGS(th)、RDS(on)漂移和栅极驱动电压窗口方面性能得到了改善。 这些模块还提供预涂导热界面材料（TIM）版本。 相关产品： ▪️ FF3MR20KM1H(P) 2.6mΩ， 2000V 62mm半桥模块 ▪️ FF4MR20KM1H(P) 3.5mΩ， 2000V 6
SiC产业迎来重大变革:Wolfspeed出售射频业务并持续
2024-02-06在过去的几年中，碳化硅（SiC）产业经历了飞速的发展。本文将分享与SiC产业相关的两件大事。 首先，SiC领域的领军企业Wolfspeed宣布已完成向MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.出售其射频业务。根据交易条款，Wolfspeed获得了约7500万美元的现金（根据惯例购买价格调整）以及711,528股MACOM普通股。按照MACOM的收盘价，这些股票的市值约为6080万美元。据纳斯达克全球精选市场报道，该公司将于2023年12月1日发行普通股。
SiC:下一代液晶的可能选择吗?
2024-02-06在过去的几年里，电子行业经历了巨大的变革。曾经是太阳能电池和LED的天下，如今FPD和半导体成为了新的焦点。在这个过程中，中国企业逐渐崭露头角，并在多个领域取得了显著的成绩。 首先，在太阳能电池领域，中国厂商的销售额排名靠前，几乎垄断了整个市场。这得益于中国政府的大力支持和补贴政策，鼓励企业加大投入，提高生产效率，从而在全球市场上占据了有利地位。 其次，LED领域也出现了类似的情况。虽然LED技术不如太阳能电池成熟，但中国企业在这一领域也取得了不俗的成绩。数家公司名列世界排名靠前，成为了日本、
SiC领域强强联手,8英寸创新合作引爆行业关注
2024-02-06近日，新加坡科学技术研究局（A*STAR）下属研究机构微电子研究所（IME）与德国扩散及退火设备供应商centrotherm International AG达成合作，共同研发8英寸SiC技术。 SiC作为一种具有高能效、高功率、耐高压等特性的材料，已成为电动汽车、轨道交通、数据中心及电网等高压高功率应用领域的理想选择。然而，目前SiC产品和技术尚未大规模商用化应用，仍处于供不应求的阶段。其中，SiC衬底环节是量产的主要障碍，需要突破多项瓶颈。 IME与centrotherm的合作旨在结合IM
SiC在光电子领域的应用:材料优势与未来前景
2024-02-06碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，因其独特的物理和化学性质，在光电子领域展现出巨大的应用潜力。本文将深入探讨SiC在光电子领域的应用，特别是其在紫外光探测器、高功率激光器和光纤放大器等方面的应用，并阐述SiC材料在高速、高频和高温光电子器件中的优势。 一、紫外光探测器 SiC作为一种宽带隙材料，对紫外光有较高的吸收系数和较低的暗电流，因此在紫外光探测器领域具有显著优势。SiC紫外光探测器在200-300纳米的波长范围内具有高灵敏度和快速响应速度，广泛应用于环境监测、生物医疗和空间探测等
SIC的封装与测试:技术、方法及其对性能和可靠性的影响
2024-02-06在单片集成回路（SIC）领域，封装和测试是确保其性能和可靠性的关键环节。本文将介绍 SIC 的封装技术和测试方法，并探讨它们对性能和可靠性的影响。 一、SIC 的封装技术 SIC 的封装是指将单片集成电路（IC）固定在塑封料中，以保护 IC 并确保其能够与外部电路连接。常见的 SIC 封装技术包括： 陶瓷封装：陶瓷封装具有优良的绝缘性能和耐高温特性，常用于高可靠性应用。陶瓷封装的工艺包括将 IC 粘贴在基板上，然后用银浆或铜浆进行连接，最后进行密封。金属封装：金属封装具有良好的导热性和电磁屏蔽
SIC(碳化硅)与其他集成电路的比较
2024-02-06在当今的电子技术领域，各种集成电路类型层出不穷，每种都有其独特的优点和应用场景。其中，碳化硅（SIC）集成电路凭借其卓越的性能、低功耗和高效能，正逐渐成为行业关注的焦点。本文将对SIC与其他集成电路在性能、功耗和成本等方面进行比较，以揭示SIC的竞争优势。 一、性能比较 SIC与硅基集成电路相比，具有更高的禁带宽度、临界击穿电场、热导率和饱和速度。这些优异的材料特性使得SIC在高温、高频率和高电压环境下具有出色的性能表现。此外，SIC的导通电阻比硅基材料低，这有助于减少能量损失并提高系统效率。
碳化硅SIC将会发力电动汽车？
2024-01-30SIC将会发力智能车 01 碳化硅 碳化硅在功率半导体市场（尤其是电动汽车）中越来越受欢迎，但对于许多应用来说仍然过于昂贵。 原因很容易理解，但直到最近，碳化硅在很大程度上还是一种不够成熟技术，不值得投资。现在，随着对可在高压应用中工作的芯片的需求不断增长，SiC 受到了越来越多的关注。与硅功率器件的其他潜在替代品不同，SiC 具有熟悉的优势。 SiC 最初用于晶体收音机中的检测器二极管，是最早具有商业价值的半导体之一。商用 SiC JFET 自 2008 年起就已上市，在极端环境的电子产品中