随着SiC在主驱应用程序中的逐渐普及，许多客户考虑使用SiC模块进行新的设计；同时，SiC功率模块的可靠性测试标准也在进一步更新。安森美(onsemi)SIC功率模块在开发过程中遵循最新的AQG324标准。新标准对SIC的开发和可靠性提出了一些新的要求。安森美从模块和芯片开发、测试和生产的角度了解这些需求。有针对性的开发和优化将有助于提高产品的可靠性。

在最近的在线研讨会上，安森美电源方案部中国汽车主驱逆变器半导体负责人Bryan Lu详细介绍了安森美如何应对AQG324对SiC模块包装和设备的挑战，包括：

1. AGQ324测试Si和SiC之间的差异

2. SiC芯片可靠性测试

3. 对SiC芯片和模块银烧结的需求

4. SiC芯片和模块的高温要求

最新一代安森美1200 V EliteSiC M3S器件具有超低导通电阻RDS，领先于行业(on)，IC存储器适配800 V电动汽车专用于高达22 高压至低压的kW大功率OBC和DC-DC转换器。车辆级别为1200 V EliteSiC MOSFET 。

AQG324标准是电子元件可靠性的国际标准。它由国际电子工业联合会制定（IEC）和国际标准化组织（ISO）共同发布。

AQG324主要用于汽车电子领域，特别是汽车功率模块的开发与测试。它代表了基于最佳实践和卓越需求的行业指南，是汽车动力模块的基本标准。只有按照AQG324的测试规范设计的测试计划才能得到广大汽车厂商的认可。满足AQG324只是保证电子元件可靠性和稳定性的基本要求，从而保证汽车系统的安全性和性能。

请注意，以上信息仅供参考。对于具体标准的理解和应用，建议参考行业内的专业资料和咨询专业人士。

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